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擴散/氧化爐是半導體生產重要工藝，擴散是在高溫條件下，利用熱擴散原理將雜質元素按要求的深度摻入硅襯底中，
使其具有特定的濃度分布，達到改變材料的電學特性，形成半導體器件結構的目的。可用于制作PN結或構成集成電路中的
電阻、電容、二極管和晶體管等器件。氧化是將硅片放置于氧氣或水蒸氣的氛圍中進行高溫熱處理，在硅片表面形成氧化膜
的過程，可作為離子注入的阻擋層及注入穿透層、表面鈍化、器件結構的介質層等。
設備 特點 | 可滿足閉管干氧氧化、濕氧氧化、氫氧合成氧化工藝 |
采用高可靠性工控機+PLC模式，對爐溫、進退舟、氣體流量、閥門進行全自動控制,實現全部工藝過程自動化； | |
具有友好的人機界面，用戶可以方便地修改工藝控制參數，并可隨時顯示各種工藝狀態； | |
具有多種工藝管路，可供用戶方便選擇； | |
具有強大的軟件功能，配有故障自診斷軟件，可大大節省維修時間； | |
恒溫區自動調整，串級控制，可準確控制反應管的實際工藝溫度； | |
具有超溫、斷偶、熱偶短路、工藝氣體流量偏差報警和保護功能； | |
可根據用戶要求定制產品。 |
產品功能：
擴散/氧化爐是半導體生產重要工藝，擴散是在高溫條件下，利用熱擴散原理將雜質元素按要求的深度摻入硅襯底中，
使其具有特定的濃度分布，達到改變材料的電學特性，形成半導體器件結構的目的。可用于制作PN結或構成集成電路中的
電阻、電容、二極管和晶體管等器件。氧化是將硅片放置于氧氣或水蒸氣的氛圍中進行高溫熱處理，在硅片表面形成氧化膜
的過程，可作為離子注入的阻擋層及注入穿透層、表面鈍化、器件結構的介質層等。
設備 特點 | 可滿足閉管干氧氧化、濕氧氧化、氫氧合成氧化工藝 |
采用高可靠性工控機+PLC模式，對爐溫、進退舟、氣體流量、閥門進行全自動控制,實現全部工藝過程自動化； | |
具有友好的人機界面，用戶可以方便地修改工藝控制參數，并可隨時顯示各種工藝狀態； | |
具有多種工藝管路，可供用戶方便選擇； | |
具有強大的軟件功能，配有故障自診斷軟件，可大大節省維修時間； | |
恒溫區自動調整，串級控制，可準確控制反應管的實際工藝溫度； | |
具有超溫、斷偶、熱偶短路、工藝氣體流量偏差報警和保護功能； | |
可根據用戶要求定制產品。 |
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