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主要應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體，金屬電極，互聯(lián)線是用金屬剝離工藝，使光刻膠呈現(xiàn)倒梯形形貌，正常采用負(fù)膠工藝實(shí)現(xiàn)，因負(fù)膠有一定工藝難度和局部缺陷，例如分辨率不高，線寬均一性不好，倒梯形角度不穩(wěn)定等因素。行業(yè)內(nèi)大多采用氨氣條件反轉(zhuǎn)工藝，使用酚醛樹脂基的正膠，正膠曝光后會(huì)產(chǎn)生羧酸，氨氣中和酸，再進(jìn)行一次全面曝光，顯影后就可以形成倒梯形形貌，同時(shí)又保留正膠的分辨率和線寬穩(wěn)定性。
主要應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體，金屬電極，互聯(lián)線是用金屬剝離工藝，使光刻膠呈現(xiàn)倒梯形形貌，正常采用負(fù)膠工藝實(shí)現(xiàn)，因負(fù)膠有一定工藝難度和局部缺陷，例如分辨率不高，線寬均一性不好，倒梯形角度不穩(wěn)定等因素。行業(yè)內(nèi)大多采用氨氣條件反轉(zhuǎn)工藝，使用酚醛樹脂基的正膠，正膠曝光后會(huì)產(chǎn)生羧酸，氨氣中和酸，再進(jìn)行一次全面曝光，顯影后就可以形成倒梯形形貌，同時(shí)又保留正膠的分辨率和線寬穩(wěn)定性。
產(chǎn)品詳情
技術(shù)參數(shù)：
型號(hào) | NH3D4 |
內(nèi)膽尺寸 | 450*450*450mm； |
真空度 | 150Pa;采用真空泵； |
加熱方式 | 腔體外側(cè)四周加熱； |
溫度 | RT+10℃～ 200℃；微電腦溫度控制器，控溫精確可靠； |
控溫精度 | ±2%℃（150℃內(nèi)）； |
氨氣反轉(zhuǎn)工藝 | 升溫達(dá)到設(shè)定值-抽真空-達(dá)到設(shè)定值-充氨氣-取產(chǎn)品-取后曝光機(jī)反面曝光。 |
主要特點(diǎn) | 箱門閉合松緊能調(diào)節(jié)，整體成型的硅橡膠門封圈，確保箱內(nèi)高真空度。工作室采用不銹鋼板制成，電解拋光，確保產(chǎn)品經(jīng)久耐用。 |
應(yīng)用介紹：
主要應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體，金屬電極，互聯(lián)線是用金屬剝離工藝，使光刻膠呈現(xiàn)倒梯形形貌，正常采用負(fù)膠工藝實(shí)現(xiàn)，因負(fù)膠有一定工藝難度和局部缺陷，例如分辨率不高，線寬均一性不好，倒梯形角度不穩(wěn)定等因素。行業(yè)內(nèi)大多采用氨氣條件反轉(zhuǎn)工藝，使用酚醛樹脂基的正膠，正膠曝光后會(huì)產(chǎn)生羧酸，氨氣中和酸，再進(jìn)行一次全面曝光，顯影后就可以形成倒梯形形貌，同時(shí)又保留正膠的分辨率和線寬穩(wěn)定性。
主要應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體，金屬電極，互聯(lián)線是用金屬剝離工藝，使光刻膠呈現(xiàn)倒梯形形貌，正常采用負(fù)膠工藝實(shí)現(xiàn)，因負(fù)膠有一定工藝難度和局部缺陷，例如分辨率不高，線寬均一性不好，倒梯形角度不穩(wěn)定等因素。行業(yè)內(nèi)大多采用氨氣條件反轉(zhuǎn)工藝，使用酚醛樹脂基的正膠，正膠曝光后會(huì)產(chǎn)生羧酸，氨氣中和酸，再進(jìn)行一次全面曝光，顯影后就可以形成倒梯形形貌，同時(shí)又保留正膠的分辨率和線寬穩(wěn)定性。
產(chǎn)品詳情
技術(shù)參數(shù)：
型號(hào) | NH3D4 |
內(nèi)膽尺寸 | 450*450*450mm； |
真空度 | 150Pa;采用真空泵； |
加熱方式 | 腔體外側(cè)四周加熱； |
溫度 | RT+10℃～ 200℃；微電腦溫度控制器，控溫精確可靠； |
控溫精度 | ±2%℃（150℃內(nèi)）； |
氨氣反轉(zhuǎn)工藝 | 升溫達(dá)到設(shè)定值-抽真空-達(dá)到設(shè)定值-充氨氣-取產(chǎn)品-取后曝光機(jī)反面曝光。 |
主要特點(diǎn) | 箱門閉合松緊能調(diào)節(jié)，整體成型的硅橡膠門封圈，確保箱內(nèi)高真空度。工作室采用不銹鋼板制成，電解拋光，確保產(chǎn)品經(jīng)久耐用。 |
相關(guān)產(chǎn)品
皖I(lǐng)CP備2025078321號(hào)-1
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