4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。

據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首發(fā)的128層QLC閃存創(chuàng)下速度、密度、容量三個(gè)全球 第 一。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片X2-9060，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

據(jù)了解，每顆X2-6070 QLC閃存芯片共提供1.33Tb的存儲(chǔ)容量。而在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實(shí)現(xiàn)1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的數(shù)據(jù)傳輸速率。

據(jù)悉，兩款產(chǎn)品均采用長(zhǎng)存自研Xtacking 2.0架構(gòu)，外圍電路和存儲(chǔ)單元可堆疊，帶來極佳的擴(kuò)展性。在性能方面，長(zhǎng)存透露，兩款產(chǎn)品擁有1.6Gbps的I/O讀寫性能，3D QLC單顆容量高達(dá)1.33Tb，是上一代64層的5.33倍。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，公司用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。

另據(jù)財(cái)聯(lián)社報(bào)道，預(yù)計(jì)2020年底-2021年中旬陸續(xù)量產(chǎn)，目標(biāo)達(dá)到月產(chǎn)能10萬片；供應(yīng)鏈消息透露，這款閃存已送樣。

*文章內(nèi)容及圖片均來自微電子制造,存在侵權(quán)請(qǐng)告知?jiǎng)h除！

旭騰科技作為專業(yè)的半導(dǎo)體服務(wù)制造廠商，可根據(jù)客戶需求定制您需要的滿意產(chǎn)品，有需求的客戶詳情請(qǐng)咨詢400-608-2908或搜索旭騰科技了解更多信息。