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長鑫存儲宣布投產，預計月產能12萬片
中國的消費電子市場蘊藏著巨大的發展潛力，在這種情況下，消費電子產品也為半導體產業帶來了巨大的發展機會。
2019-09-20 13:38:44安徽旭騰微電子設備有限公司959
長鑫存儲宣布投產，預計月產能12萬片
據新華社報道，在安徽合肥召開的2019世界制造業大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產，其與國際主流DRAM產品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產能每月12萬片晶圓。該項目以打造設計和制造一體化的內存芯片國產化制造基地為目標，2016年5月由合肥市政府旗下投資平臺合肥產投與細分存儲器國產領軍企業兆易創新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業項目。目前，項目已通過層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。
DRAM即動態隨機存取存儲器，是芯片產業中產值占比最大的單一品類。2018年，中國芯片進口額超過3000億美元，這個單一品類就占到了其中的兩成以上。其作為最常見的內存芯片，被喻為連接中央處理器的“數據高速公路”，廣泛應用于高性能計算、工業設備、消費電子等電子產品之中。
據魏少軍等專家介紹，我國雖是該芯片的最大應用市場，此前卻始終未能出現實現量產的國產項目，沒有掌握自主產能。
長鑫存儲投產的產品是現在全球市場上的主流產品。“投產的8Gb DDR4通過了多個國內外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產品也即將投產。”大會現場，長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明手持一顆指甲蓋大小的芯片說。
DRAM的市場格局
手機、大數據、AI 和數據中心等新興市場的崛起，為DRAM帶來了巨大的增長空間。根據IC Insights在今年7月發布的IC產品市場排名報告顯示，在2019年所有IC產品中，DRAM市場仍將成為最大的類別，其銷售額將達到620億美元。同時，IC Insights也在該報告中預測，2019年DRAM銷售額將占總IC銷售額的17％。以此便可見DRAM市場的發展潛力。
但是，多年以來，DRAM市場一直由國外企業所壟斷。據相關數據顯示，2018年三星、SK 海力士、鎂光在DRAM全球市場中占比分別為 45.5%，29.1%，21.1%，總占比超過 95%。
Kilopass的CEO Charlie Cheng的介紹：“3500億美元的半導體市場中儲存類產品占據將近1000億美元的份額，而其中DRAM更是占據約500億美元的份額。”以此可見，DRAM占據了很大一部分的半導體進口額。
聯想到中國的龐大的電子制造市場，這就讓國內非發展不可。
國際的DRAM技術進展
從制程工藝角度來看，根據東北證券的統計顯示，目前，三星已大規模采用20nm工藝，并率先量產18nm工藝；SK海力士則以25nm工藝為主，已導入21nm工藝；鎂光以30nm工藝為主，20nm工藝進入良率提升階段。
而伴隨著時間的推移，DRAM已經開始步入了10nm階段。據市場消息顯示，早在2016年，三星就已經宣布其10nm 級 8Gb DDR4 DRAM 芯片已經正式進入了大規模量產的階段，兩年后，三星又宣布其第二代10nm級LPDDR4X DRAM已投入量產。另外SK海力士也在今年第一季度報告中稱，除了加大初代 10nm 制造工藝（1x nm）的產量，公司還計劃在今年下半年啟用第二代 10nm DRAM 制造工藝（又名 1Y nm）。
據悉， 1Y nm 工藝不僅適用于年內增產的 DDR4 產線，也適用于 DDR5、LPDDR5、以及 GDDR6 DRAM 的制造。鎂光方面，據閃存市場的消息顯示，鎂光1xnm已經十分成熟，1γnm目前正在擴充產能，生產對象有12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4顆粒等。同時，為了迎接10nm DRAM的到來，鎂光也準備了至少三種新的10nm級工藝：1αnm、1βnm、1γnm。
而在長鑫方面，公司副總裁平爾萱博士在昨日的閃存峰會上表示，公司依靠先進的設備和經驗豐富的人才，已經成功把從奇夢達獲得的46納米堆棧式DRAM平穩過度到10納米級別，公司甚至在探索HKMG、EUV甚至GAA等新技術和新工藝在DRAM上的實現，力爭未來成為這個領域的領先者。讓我們期待長鑫在這個市場的表現。
*文章圖片來源于半導體產業聯盟，存在侵權請告知刪除！
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