午間，時代電氣發布公告宣布控股子公司中車時代半導體擬投資4.62億元進行SiC芯片生產線技術能力提升建設項目，建設工期為兩年。

項目建成達產后，現有平面柵SiC MOSFET芯片技術能力將提升至滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發能力，而現有4英寸SiC芯片產線也將提升至6英寸產線，現有4英寸芯片產線年10000片/年的能力將提升至6英寸SiC芯片產線25000片/年。

Source：中車時代

根據TrendForce集邦咨詢分析，現階段用于功率器件的N型SiC襯底仍以6英寸為主，盡管Wolfspeed等國際IDM大廠8英寸進展超乎預期，但由于良率提升及功率晶圓廠由6英寸轉8英寸需要一定的時間周期，因此，至少未來5年內6英寸SiC襯底都仍為主流。

從市場驅動力的角度來看，新能源汽車領域是SiC市場的主要成長動能。Trendforce集邦咨詢報告《第三代半導體功率應用市場報告》預估，隨著電動車滲透率不斷升高，以及整車架構朝800V高壓方向邁進，預估2025年全球電動車市場對6英寸SiC晶圓需求可達169萬片。

由此可見，中車時代半導體本次的舉動符合行業當前的發展趨勢，也可以視作對全球“缺芯”潮的一個應對措施，未來可望進一步滿足新能源汽車領域對6英寸SiC芯片的需求。

據化合物半導體市場了解，中車時代半導體依托在IGBT功率半導體市場的技術儲備和豐富積累，已在SiC領域打造出自主設計與制造能力的汽車SiC功率模塊應用及產業化平臺。

2021年，時代電氣推出國內自主SiC大功率電驅產品C-Power 220s，其中所用的SiC器件就來自于中車時代半導體，并在技術上取得重要突破。據悉，基于SiC技術的C-Power 220s攻克了SiC驅動、電磁兼容、軸承電腐蝕、高壓絕緣等關鍵技術。

當時，時代電氣還坦言，國際汽車巨頭大眾、奔馳、現代、通用等主流車企均宣布了800V高電壓平臺計劃，國內的嵐圖、吉利極氪、小鵬、廣汽埃安、比亞迪e平臺、理想等車企也已加快布局800V快充技術，而SiC技術是解決新能源汽車800V高壓快充的關鍵技術。未來，中車時代半導體的SiC技術將助力新能源汽車快充技術的升級。

值得注意的是，SiC的應用觸角正在不斷向除新能源汽車領域之外的應用領域延伸，而中車時代半導體的布局藍圖也不止新能源汽車領域，其SiC也已在地鐵、光伏等領域實現示范應用。

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